使用者59305396470802022-10-20 19:31:22

當然可以，用逆變器可以把電壓提高到220伏。要注意用電器的功率，不能超過逆變器的功率，也不能超過發電機的功率這種是不可以用大功率電器的，因為可能會導致電壓的不穩定。

目前有三種技術路線：一是採用空間向量脈寬調製等控制方式，降低損耗，二是採用碳化矽材料的元器件，降低功率器件的內阻，三是採用三電平，五電平等多電平電氣拓撲以及軟開關技術，降低功率器件兩端的電壓，降低功率器件的開關頻率。電壓空間向量脈寬調製（SVPWM）是一種全數字控制方式，具有直流電壓利用率高，易於控制等的優點，被廣泛應用逆變器中。直流電壓利用率高，可以在相同大小的輸出電壓下，採用更低的直流母線電壓，從而降低了功率開關器件的電壓應力，器件上的開關損耗更小，逆變器的變換效率得到了一定的提升。在空間向量合成中，有多種向量序列組合方法，透過不同的組合和排序，可以獲得減小功率器件開關次數的效果，從而能夠進一步減小逆變器功率器件的開關損耗。

採用碳化矽材料的元器件碳化矽器件的單位面積的阻抗僅為矽器件的百分之一。利用碳化矽材料製作的IGBT（絕緣柵雙極電晶體）等功率器件，其通態阻抗減為通

其通態阻抗減為通常矽器件的十分之一，碳化矽技術可以有效減小二極體反向恢復電流，從而能降低功率器件上的開關損耗，主開關所需的電流容量也能相應減小。因此，將碳化矽二極體作為主開關的反並二極體，是改善逆變器效率的途徑。與傳統快恢復矽反並聯二極體相比，採用碳化矽反並聯二極體後，二極體反向恢復電流顯著減小，並可以改善1%的總變換效率。採用快速IGBT後，由於開關速度加快，並能改善2%整機變換效率。當把SiC反並二極體與快速IGBT相結合後，逆變器的效率將進一步改善。